État de disponibilité: | |
---|---|
Quantité: | |
TN-MSP500S-2DC
TN
Présentation de notre coucheuse par pulvérisation magnétron DC à double cible pour films en alliage - la solution ultime pour tous vos besoins en matière de revêtement de couches minces.Conçue dans un souci de précision et d'efficacité, cette coucheuse de pointe est parfaite pour préparer des films minces ferroélectriques monocouches ou multicouches, des films conducteurs et des films d'alliage.
Grâce à sa technologie de pulvérisation magnétron DC à double cible, cette coucheuse assure une uniformité de revêtement et un contrôle de dépôt exceptionnels, vous permettant d'obtenir les propriétés de film souhaitées avec la plus grande précision.Que vous ayez besoin d'une épaisseur uniforme, d'une adhérence élevée ou d'une conductivité supérieure, notre coucheuse offre des résultats exceptionnels à chaque fois.
Dotée de fonctionnalités avancées, cette coucheuse offre une polyvalence inégalée.Sa configuration à double cible permet le dépôt simultané de différents matériaux, permettant la création de films d'alliage complexes aux propriétés personnalisées.Cette flexibilité ouvre des possibilités infinies de recherche et de développement dans divers domaines, notamment l'électronique, l'optique et la science des matériaux.
Notre coucheuse par pulvérisation magnétron DC à double cible dispose d'une interface conviviale, ce qui la rend facile à utiliser, même pour ceux qui débutent dans le dépôt de couches minces.Le panneau de commande intuitif permet un réglage précis des paramètres tels que le taux de dépôt, la température du substrat et le débit de gaz, garantissant ainsi des conditions de revêtement optimales pour vos applications spécifiques.
Paramètres techniques de la coucheuse de pulvérisation magnétron DC à double cible :
nom du produit | Machine de pulvérisation magnétron DC à double cible |
Pulvérisation source de courant | Alimentation CC × 2 Alimentation CC alimentation: 500W |
Chambre à vide | Taille de la chambre:φ300mm×300mm,Matériau de la chambre:Acier inoxydable Fenêtre de montre : φ100 mm Le La méthode d'ouverture de la cavité adopte une ouverture supérieure, ce qui facilite le changement de cible |
Pulvérisation magnétron tête cible | Il y a 2 têtes de pulvérisation magnétron installées dans l'instrument, et ils sont tous équipés d'une couche intermédiaire refroidie à l'eau, qui peut passer dans l'eau de refroidissement pour refroidir le matériau cible.Les deux les têtes de pulvérisation sont connectées à une alimentation CC, et le principal pulvérisation conductrice |
Étape d'échantillonnage | Échantillon taille du support : 140 mm de diamètre.(Un substrat maximum de 4' peut être placé) L'échantillon le support peut tourner à une vitesse de : 1-20 tr/min (réglable) La vitesse la plus élevée la température de chauffage du porte-échantillon est de 500 ℃, et la température la précision du contrôle est de +/- 1,0 °C |
Contrôleur de débit de gaz | Là Si 2 débitmètres massiques sont installés à l'intérieur de l'instrument, la plage est : 0-200 sccm |
Pompe à vide | Équipé avec un ensemble de système de pompe moléculaire, utilisant une opération à un bouton 80L/S |
Système de refroidissement | 16L/min. |
Tension | 220 V 50 Hz |
Présentation de notre coucheuse par pulvérisation magnétron DC à double cible pour films en alliage - la solution ultime pour tous vos besoins en matière de revêtement de couches minces.Conçue dans un souci de précision et d'efficacité, cette coucheuse de pointe est parfaite pour préparer des films minces ferroélectriques monocouches ou multicouches, des films conducteurs et des films d'alliage.
Grâce à sa technologie de pulvérisation magnétron DC à double cible, cette coucheuse assure une uniformité de revêtement et un contrôle de dépôt exceptionnels, vous permettant d'obtenir les propriétés de film souhaitées avec la plus grande précision.Que vous ayez besoin d'une épaisseur uniforme, d'une adhérence élevée ou d'une conductivité supérieure, notre coucheuse offre des résultats exceptionnels à chaque fois.
Dotée de fonctionnalités avancées, cette coucheuse offre une polyvalence inégalée.Sa configuration à double cible permet le dépôt simultané de différents matériaux, permettant la création de films d'alliage complexes aux propriétés personnalisées.Cette flexibilité ouvre des possibilités infinies de recherche et de développement dans divers domaines, notamment l'électronique, l'optique et la science des matériaux.
Notre coucheuse par pulvérisation magnétron DC à double cible dispose d'une interface conviviale, ce qui la rend facile à utiliser, même pour ceux qui débutent dans le dépôt de couches minces.Le panneau de commande intuitif permet un réglage précis des paramètres tels que le taux de dépôt, la température du substrat et le débit de gaz, garantissant ainsi des conditions de revêtement optimales pour vos applications spécifiques.
Paramètres techniques de la coucheuse de pulvérisation magnétron DC à double cible :
nom du produit | Machine de pulvérisation magnétron DC à double cible |
Pulvérisation source de courant | Alimentation CC × 2 Alimentation CC alimentation: 500W |
Chambre à vide | Taille de la chambre:φ300mm×300mm,Matériau de la chambre:Acier inoxydable Fenêtre de montre : φ100 mm Le La méthode d'ouverture de la cavité adopte une ouverture supérieure, ce qui facilite le changement de cible |
Pulvérisation magnétron tête cible | Il y a 2 têtes de pulvérisation magnétron installées dans l'instrument, et ils sont tous équipés d'une couche intermédiaire refroidie à l'eau, qui peut passer dans l'eau de refroidissement pour refroidir le matériau cible.Les deux les têtes de pulvérisation sont connectées à une alimentation CC, et le principal pulvérisation conductrice |
Étape d'échantillonnage | Échantillon taille du support : 140 mm de diamètre.(Un substrat maximum de 4' peut être placé) L'échantillon le support peut tourner à une vitesse de : 1-20 tr/min (réglable) La vitesse la plus élevée la température de chauffage du porte-échantillon est de 500 ℃, et la température la précision du contrôle est de +/- 1,0 °C |
Contrôleur de débit de gaz | Là Si 2 débitmètres massiques sont installés à l'intérieur de l'instrument, la plage est : 0-200 sccm |
Pompe à vide | Équipé avec un ensemble de système de pompe moléculaire, utilisant une opération à un bouton 80L/S |
Système de refroidissement | 16L/min. |
Tension | 220 V 50 Hz |