| Quantité: | |
|---|---|
TN-MSP360G-1DC
TN
Présentation de notre coucheuse par pulvérisation magnétron DC à cible unique, un équipement avancé et polyvalent conçu pour la préparation de films de précision.Grâce à ses capacités exceptionnelles, cette coucheuse est idéale pour créer des films monocouches ou multicouches dans diverses applications, notamment les films ferroélectriques, conducteurs, en alliage, semi-conducteurs, céramiques, diélectriques, optiques, d'oxyde et durs.
Notre coucheuse de pointe utilise une technologie de pulvérisation magnétron de pointe, garantissant un dépôt précis et uniforme des matériaux sur les substrats.Cela permet aux chercheurs et aux fabricants d’obtenir des films d’une qualité et d’une cohérence supérieures, répondant ainsi aux exigences des projets les plus complexes.
Doté d'une construction robuste et d'une interface conviviale, notre coucheur de pulvérisation magnétron DC à cible unique offre une fiabilité et une facilité d'utilisation inégalées.Son système de contrôle avancé permet un contrôle précis des paramètres de dépôt tels que l'épaisseur du film, le taux de dépôt et l'utilisation de la cible, offrant aux utilisateurs une flexibilité et une précision inégalées.
Équipée d'un système de vide haute performance, cette coucheuse assure un environnement propre et sans contamination pendant le processus de dépôt.De plus, son système de refroidissement efficace garantit un contrôle optimal de la température, évitant ainsi tout dommage potentiel aux matériaux sensibles.
Conçu avec la plus grande attention aux détails, notre coucheur de pulvérisation magnétron DC à cible unique est conçu pour résister à une utilisation rigoureuse et fournir des résultats exceptionnels.Son encombrement compact le rend adapté à divers environnements de laboratoire ou industriels, tandis que sa conception économe en énergie permet de réduire les coûts opérationnels sans compromettre les performances.
Investissez dans notre coucheuse par pulvérisation magnétron DC à cible unique et débloquez des possibilités illimitées en matière de préparation de film.Avec ses caractéristiques exceptionnelles et ses performances de qualité professionnelle, cet équipement constitue le choix idéal pour les chercheurs, ingénieurs et fabricants cherchant à atteindre l’excellence dans leurs processus de dépôt de film.
Célibataire coucheuse de pulvérisation magnétron DC cible | ||
Échantillon Tableau | Dimensions hors tout | Φ 360 millimètres |
Régime réglable | 1-20 tr/min réglable | |
Magnéto-contrôlé cible pistolet | Plan cible | Cible plan circulaire |
Vide de pulvérisation | 0,1Pa à 3Pa | |
Diamètre cible | 100 à 101,6 mm | |
Épaisseur cible | 3mm | |
Tension d'isolement | >2000V | |
Spécifications du câble | SL-16 | |
Température de tête cible | ≦ 65 ℃ | |
Vide chambre | Traitement des murs intérieurs | Polissage électrolytique |
Taille de la cavité | Φ500 mm x 500 mm | |
Matériau de la cavité | Acier inoxydable 304 | |
Fenêtre de visualisation | Fenêtre en quartz, diamètre φ100 mm | |
Méthode d'ouverture | Ouverture latérale | |
Gaz contrôle | Contrôle de flux | Débitmètre massique, plage de mesure 0 ~ 100SCCM |
Type de gaz | Argon, azote, oxygène et autres gaz sont disponible | |
Types de vannes de régulation | Régulateur solénoïde | |
État statique de la vanne de régulation | Fermeture normale | |
Mesurer la linéarité | Plus ou moins 1,5% FS | |
La mesure précision de répétition | Plus ou moins 0,2% FS | |
Mesurer le temps de réponse | ≤8 secondes (T95) | |
Gamme de travail différence de pression | 0,3 MPa | |
Corps résistant à la pression | 3MPa | |
Température ambiante de travail | (5 ~ 45) ℃ | |
Matériau du corps | Acier inoxydable 316L | |
Taux de fuite du corps | 1×10-8Pa.m3/s | |
Raccords de tuyauterie | Joints gainés 1/4' | |
Signaux d'entrée/sortie | 0 à 5V | |
Source de courant | ±15 V (±5 %) (+15 V 50 mA, -15 V 200 mA) | |
Dimensions hors tout mm | 130 (L) x 102 (H) x 28 (H) | |
Interface de Communication | Protocole MODBUS RS485 | |
Courant continu fournir | Source de courant | 1500W |
Film épaisseur mesurer NT | Exigences de puissance | CC : 5 V (± 10 %) Courant maximum 400 mA |
Résolution | ±0,03 Hz (5-6 MHz), 0,0136 A/mesure (aluminium) | |
Précision de mesure | ±0,5 % d'épaisseur +1 compte | |
Cycle de mesure | 100 mS ~ 1 S/temps (peut être réglé) | |
Plage de mesure | 500 000 A (aluminium) | |
Fréquence cristalline | 6 MHz | |
Interface de Communication | Interface série RS-232/485 | |
Bits d'affichage | Affichage LED 8 bits | |
Moléculaire pompe | Vitesse de pompage moléculaire | 1200 L/S |
Vitesse nominale | 24 000 tr/min | |
Valeur vibratoire | ≦ 0,1 um | |
Le temps de démarrage | 5min | |
Temps d'arrêt | 7min | |
Méthode de refroidissement | Refroidissement par eau + refroidissement par air | |
Température de l'eau de refroidissement | ≦37℃ | |
Débit d'eau de refroidissement | 1L/min | |
Sens de montage | Verticale ±5. | |
Interface d'extraction d'air | 150CF | |
L'orifice d'échappement | KF40 | |
Devant pompe | Taux de pompage | VRD-16 |
Vide ultime | 1Pa | |
Source de courant | CA : 220 V/50 Hz | |
Puissance du moteur | 400W | |
Bruit | ≦56 dB | |
Interface d'extraction d'air | KF40 | |
L'orifice d'échappement | KF25 | |
Soupape | Vanne à vanne | Un robinet-vanne est disposé entre le vide chambre et la pompe moléculaire |
Vanne d'arrêt | Une vanne d'arrêt est installée entre le pompe moléculaire et scène avant | |
Vanne de vidange latérale | Un robinet de vidange latéral est installé entre le chambre à vide et scène avant | |
Vanne de purge | Une vanne de purge électromagnétique est installée sur la chambre à vide | |
Vide ultime de l'ensemble machine | ≦5X10-4Pa | |
Cible de test | 1 morceau de cible en nickel de 4 pouces diamètre et 3 mm d'épaisseur | |
Présentation de notre coucheuse par pulvérisation magnétron DC à cible unique, un équipement avancé et polyvalent conçu pour la préparation de films de précision.Grâce à ses capacités exceptionnelles, cette coucheuse est idéale pour créer des films monocouches ou multicouches dans diverses applications, notamment les films ferroélectriques, conducteurs, en alliage, semi-conducteurs, céramiques, diélectriques, optiques, d'oxyde et durs.
Notre coucheuse de pointe utilise une technologie de pulvérisation magnétron de pointe, garantissant un dépôt précis et uniforme des matériaux sur les substrats.Cela permet aux chercheurs et aux fabricants d’obtenir des films d’une qualité et d’une cohérence supérieures, répondant ainsi aux exigences des projets les plus complexes.
Doté d'une construction robuste et d'une interface conviviale, notre coucheur de pulvérisation magnétron DC à cible unique offre une fiabilité et une facilité d'utilisation inégalées.Son système de contrôle avancé permet un contrôle précis des paramètres de dépôt tels que l'épaisseur du film, le taux de dépôt et l'utilisation de la cible, offrant aux utilisateurs une flexibilité et une précision inégalées.
Équipée d'un système de vide haute performance, cette coucheuse assure un environnement propre et sans contamination pendant le processus de dépôt.De plus, son système de refroidissement efficace garantit un contrôle optimal de la température, évitant ainsi tout dommage potentiel aux matériaux sensibles.
Conçu avec la plus grande attention aux détails, notre coucheur de pulvérisation magnétron DC à cible unique est conçu pour résister à une utilisation rigoureuse et fournir des résultats exceptionnels.Son encombrement compact le rend adapté à divers environnements de laboratoire ou industriels, tandis que sa conception économe en énergie permet de réduire les coûts opérationnels sans compromettre les performances.
Investissez dans notre coucheuse par pulvérisation magnétron DC à cible unique et débloquez des possibilités illimitées en matière de préparation de film.Avec ses caractéristiques exceptionnelles et ses performances de qualité professionnelle, cet équipement constitue le choix idéal pour les chercheurs, ingénieurs et fabricants cherchant à atteindre l’excellence dans leurs processus de dépôt de film.
Célibataire coucheuse de pulvérisation magnétron DC cible | ||
Échantillon Tableau | Dimensions hors tout | Φ 360 millimètres |
Régime réglable | 1-20 tr/min réglable | |
Magnéto-contrôlé cible pistolet | Plan cible | Cible plan circulaire |
Vide de pulvérisation | 0,1Pa à 3Pa | |
Diamètre cible | 100 à 101,6 mm | |
Épaisseur cible | 3mm | |
Tension d'isolement | >2000V | |
Spécifications du câble | SL-16 | |
Température de tête cible | ≦ 65 ℃ | |
Vide chambre | Traitement des murs intérieurs | Polissage électrolytique |
Taille de la cavité | Φ500 mm x 500 mm | |
Matériau de la cavité | Acier inoxydable 304 | |
Fenêtre de visualisation | Fenêtre en quartz, diamètre φ100 mm | |
Méthode d'ouverture | Ouverture latérale | |
Gaz contrôle | Contrôle de flux | Débitmètre massique, plage de mesure 0 ~ 100SCCM |
Type de gaz | Argon, azote, oxygène et autres gaz sont disponible | |
Types de vannes de régulation | Régulateur solénoïde | |
État statique de la vanne de régulation | Fermeture normale | |
Mesurer la linéarité | Plus ou moins 1,5% FS | |
La mesure précision de répétition | Plus ou moins 0,2% FS | |
Mesurer le temps de réponse | ≤8 secondes (T95) | |
Gamme de travail différence de pression | 0,3 MPa | |
Corps résistant à la pression | 3MPa | |
Température ambiante de travail | (5 ~ 45) ℃ | |
Matériau du corps | Acier inoxydable 316L | |
Taux de fuite du corps | 1×10-8Pa.m3/s | |
Raccords de tuyauterie | Joints gainés 1/4' | |
Signaux d'entrée/sortie | 0 à 5V | |
Source de courant | ±15 V (±5 %) (+15 V 50 mA, -15 V 200 mA) | |
Dimensions hors tout mm | 130 (L) x 102 (H) x 28 (H) | |
Interface de Communication | Protocole MODBUS RS485 | |
Courant continu fournir | Source de courant | 1500W |
Film épaisseur mesurer NT | Exigences de puissance | CC : 5 V (± 10 %) Courant maximum 400 mA |
Résolution | ±0,03 Hz (5-6 MHz), 0,0136 A/mesure (aluminium) | |
Précision de mesure | ±0,5 % d'épaisseur +1 compte | |
Cycle de mesure | 100 mS ~ 1 S/temps (peut être réglé) | |
Plage de mesure | 500 000 A (aluminium) | |
Fréquence cristalline | 6 MHz | |
Interface de Communication | Interface série RS-232/485 | |
Bits d'affichage | Affichage LED 8 bits | |
Moléculaire pompe | Vitesse de pompage moléculaire | 1200 L/S |
Vitesse nominale | 24 000 tr/min | |
Valeur vibratoire | ≦ 0,1 um | |
Le temps de démarrage | 5min | |
Temps d'arrêt | 7min | |
Méthode de refroidissement | Refroidissement par eau + refroidissement par air | |
Température de l'eau de refroidissement | ≦37℃ | |
Débit d'eau de refroidissement | 1L/min | |
Sens de montage | Verticale ±5. | |
Interface d'extraction d'air | 150CF | |
L'orifice d'échappement | KF40 | |
Devant pompe | Taux de pompage | VRD-16 |
Vide ultime | 1Pa | |
Source de courant | CA : 220 V/50 Hz | |
Puissance du moteur | 400W | |
Bruit | ≦56 dB | |
Interface d'extraction d'air | KF40 | |
L'orifice d'échappement | KF25 | |
Soupape | Vanne à vanne | Un robinet-vanne est disposé entre le vide chambre et la pompe moléculaire |
Vanne d'arrêt | Une vanne d'arrêt est installée entre le pompe moléculaire et scène avant | |
Vanne de vidange latérale | Un robinet de vidange latéral est installé entre le chambre à vide et scène avant | |
Vanne de purge | Une vanne de purge électromagnétique est installée sur la chambre à vide | |
Vide ultime de l'ensemble machine | ≦5X10-4Pa | |
Cible de test | 1 morceau de cible en nickel de 4 pouces diamètre et 3 mm d'épaisseur | |
