| Quantité: | |
|---|---|
TN-MSP500S-DC
TN
Cette coucheuse par pulvérisation magnétron DC à cible unique sous vide poussé est conçue pour les professionnels qui ont besoin d'un dépôt de couche mince précis et de haute qualité.Grâce à sa technologie avancée, il permet la préparation de films minces ferroélectriques monocouches ou multicouches, de films conducteurs, de films d'alliage, de films semi-conducteurs, de films céramiques, etc.
La chambre en acier inoxydable de cette coucheuse assure une conductivité optimale, offrant ainsi un environnement stable et fiable pour le processus de dépôt.Sa capacité de vide poussé permet d’éliminer les impuretés, ce qui donne des films minces propres et purs.
Équipée d'un système de pulvérisation magnétron DC à cible unique, cette coucheuse offre un dépôt de film précis et uniforme.Il permet un contrôle facile des paramètres de dépôt, tels que la vitesse de dépôt, l'épaisseur et la composition, garantissant ainsi la reproductibilité et la précision.
La coucheuse par pulvérisation magnétron DC à cible unique sous vide poussé est conviviale et facile à utiliser.Il dispose d'une interface conviviale qui permet un contrôle et une surveillance pratiques du processus de dépôt.Sa conception compacte le rend adapté aux environnements de laboratoire et industriels.
Que vous travailliez dans la recherche et le développement, la science des matériaux ou tout autre domaine nécessitant le dépôt de couches minces, cette coucheuse est le choix idéal.Ses performances professionnelles et fiables garantissent d’excellents résultats et répondent aux plus hauts standards de qualité et de précision.
Investissez dès aujourd’hui dans la coucheuse de pulvérisation magnétron DC à cible unique sous vide poussé avec chambre en acier inoxydable pour conductivité et bénéficiez d’un dépôt de couche mince efficace et précis comme jamais auparavant.
Paramètres techniques de la coucheuse de pulvérisation magnétron à cible unique :
Instrument de revêtement par pulvérisation magnétron DC à cible unique | ||
Étape d'échantillonnage | Dimensions | φ185mm |
Plage de chauffage | Température ambiante ~ 500 ℃ | |
Vitesse réglable | 1-20 tr/min réglable | |
magnetic contrôle cible pistolet | Plan cible | Cible plan circulaire |
Vide de pulvérisation | 10 Pa ~ 0,2 Pa | |
Diamètre cible | 50 ~ 50,8 mm | |
Épaisseur cible | 2 ~ 5 mm | |
Tension d'isolement | >2000V | |
Spécifications du câble | SL-16 | |
Température de tête cible | ≦65℃ | |
réel nul Cavité corps | Traitement des murs intérieurs | Polissage électrolytique |
Taille de la cavité | φ300 mm × 300 mm | |
Matériau de la cavité | Acier inoxydable 304 | |
Fenêtre d'observation | Fenêtre à quartz, diamètre φ100mm | |
Méthode ouverte | Ouverture supérieure, support auxiliaire de cylindre | |
gaz corps contrôle système | Contrôle de flux | Débitmètre massique, plage 0 ~ 200 SCCM gaz argon |
Type de vanne de régulation | Électrovanne | |
État statique de la vanne de régulation | Normalement fermé | |
Mesurer la linéarité | ±1,5 % PE | |
Répétabilité des mesures | ±0,2 % PE | |
Mesurer le temps de réponse | ≤8 secondes (T95) | |
Plage de pression de service | 0,3MPa | |
Pression du corps de vanne | 3MPa | |
Température de fonctionnement | （5～45）℃ | |
Matériau du corps | Acier inoxydable 316L | |
Taux de fuite du corps de vanne | 1×10-8Pa.m3/s | |
Joints de tuyaux | Raccord à compression 1/4″ | |
Signal d'entrée et de sortie | 0 ~ 5 V | |
Source de courant | ±15V（±5%）（＋15V 50mA, －15V 200mA） | |
Dimensions hors tout mm | 130 (largeur) × 102 (hauteur) × 28 (épaisseur) | |
Interface de Communication | Protocole MODBUS RS485 | |
Alimentation CC | Pouvoir | 500W |
Tension de sortie | 0 ~ 600 V | |
Durée | 65 000 secondes | |
Heure de début | 1 ~ 10 seconde | |
Mesure de l'épaisseur du film | Exigences de puissance | C.C : 5 V (± 10 %). Courant maximum 400mA |
Résolution | ±0,03 Hz (5-6 MHz),0,0136Å / Mesure (aluminium) | |
Précision de mesure | ±0,5 % d'épaisseur + 1 compte | |
Période de mesure | 100 mS ~ 1 S/heure (peut être réglé) | |
Plage de mesure | 500 000 Å (aluminium) | |
Fréquence cristalline | 6MHz | |
Interface de Communication | Interface série RS-232/485 | |
Afficher les chiffres | Affichage LED à 8 chiffres | |
Pompe moléculaire | Vitesse de pompage de la pompe moléculaire | 80 L/S |
Vitesse nominale | 65 000 tr/min | |
Valeur vibratoire | ≦0,1um | |
Heure de début | ≦4,5min | |
Temps d'arrêt | <7min | |
Méthode de refroidissement | Air conditionné | |
Température de l'eau de refroidissement | ≦37℃ | |
Débit d'eau de refroidissement | 1L/min | |
Sens de pose | Verticale ±5° | |
Orifice d'aspiration | 150CF | |
Raccordement d'échappement | KF40 | |
Pompe avant | Taux de pompage | 1,1 L/S (VRD-4) |
Vide ultime | 5×10-2Pa | |
Source de courant | CA : 220 V/50 Hz | |
Pouvoir | 400W | |
Bruit | ≦56 dB | |
Orifice d'aspiration | KF40 | |
Raccordement d'échappement | KF25 | |
Soupape de décharge | Une soupape de décharge d'air pneumatique et à commande électronique est installée sur la chambre à vide | |
Le vide ultime de toute la machine | ≦5×10-4Pa | |
Taux de suralimentation de la chambre à vide | ≦2,5Pa/h | |
Système logiciel | 1 ensemble de logiciels de suivi et de gestion | |
Cible de test | 2 cibles en cuivre d'un diamètre de 2 pouces et d'une épaisseur de 3 mm | |
Cette coucheuse par pulvérisation magnétron DC à cible unique sous vide poussé est conçue pour les professionnels qui ont besoin d'un dépôt de couche mince précis et de haute qualité.Grâce à sa technologie avancée, il permet la préparation de films minces ferroélectriques monocouches ou multicouches, de films conducteurs, de films d'alliage, de films semi-conducteurs, de films céramiques, etc.
La chambre en acier inoxydable de cette coucheuse assure une conductivité optimale, offrant ainsi un environnement stable et fiable pour le processus de dépôt.Sa capacité de vide poussé permet d’éliminer les impuretés, ce qui donne des films minces propres et purs.
Équipée d'un système de pulvérisation magnétron DC à cible unique, cette coucheuse offre un dépôt de film précis et uniforme.Il permet un contrôle facile des paramètres de dépôt, tels que la vitesse de dépôt, l'épaisseur et la composition, garantissant ainsi la reproductibilité et la précision.
La coucheuse par pulvérisation magnétron DC à cible unique sous vide poussé est conviviale et facile à utiliser.Il dispose d'une interface conviviale qui permet un contrôle et une surveillance pratiques du processus de dépôt.Sa conception compacte le rend adapté aux environnements de laboratoire et industriels.
Que vous travailliez dans la recherche et le développement, la science des matériaux ou tout autre domaine nécessitant le dépôt de couches minces, cette coucheuse est le choix idéal.Ses performances professionnelles et fiables garantissent d’excellents résultats et répondent aux plus hauts standards de qualité et de précision.
Investissez dès aujourd’hui dans la coucheuse de pulvérisation magnétron DC à cible unique sous vide poussé avec chambre en acier inoxydable pour conductivité et bénéficiez d’un dépôt de couche mince efficace et précis comme jamais auparavant.
Paramètres techniques de la coucheuse de pulvérisation magnétron à cible unique :
Instrument de revêtement par pulvérisation magnétron DC à cible unique | ||
Étape d'échantillonnage | Dimensions | φ185mm |
Plage de chauffage | Température ambiante ~ 500 ℃ | |
Vitesse réglable | 1-20 tr/min réglable | |
magnetic contrôle cible pistolet | Plan cible | Cible plan circulaire |
Vide de pulvérisation | 10 Pa ~ 0,2 Pa | |
Diamètre cible | 50 ~ 50,8 mm | |
Épaisseur cible | 2 ~ 5 mm | |
Tension d'isolement | >2000V | |
Spécifications du câble | SL-16 | |
Température de tête cible | ≦65℃ | |
réel nul Cavité corps | Traitement des murs intérieurs | Polissage électrolytique |
Taille de la cavité | φ300 mm × 300 mm | |
Matériau de la cavité | Acier inoxydable 304 | |
Fenêtre d'observation | Fenêtre à quartz, diamètre φ100mm | |
Méthode ouverte | Ouverture supérieure, support auxiliaire de cylindre | |
gaz corps contrôle système | Contrôle de flux | Débitmètre massique, plage 0 ~ 200 SCCM gaz argon |
Type de vanne de régulation | Électrovanne | |
État statique de la vanne de régulation | Normalement fermé | |
Mesurer la linéarité | ±1,5 % PE | |
Répétabilité des mesures | ±0,2 % PE | |
Mesurer le temps de réponse | ≤8 secondes (T95) | |
Plage de pression de service | 0,3MPa | |
Pression du corps de vanne | 3MPa | |
Température de fonctionnement | （5～45）℃ | |
Matériau du corps | Acier inoxydable 316L | |
Taux de fuite du corps de vanne | 1×10-8Pa.m3/s | |
Joints de tuyaux | Raccord à compression 1/4″ | |
Signal d'entrée et de sortie | 0 ~ 5 V | |
Source de courant | ±15V（±5%）（＋15V 50mA, －15V 200mA） | |
Dimensions hors tout mm | 130 (largeur) × 102 (hauteur) × 28 (épaisseur) | |
Interface de Communication | Protocole MODBUS RS485 | |
Alimentation CC | Pouvoir | 500W |
Tension de sortie | 0 ~ 600 V | |
Durée | 65 000 secondes | |
Heure de début | 1 ~ 10 seconde | |
Mesure de l'épaisseur du film | Exigences de puissance | C.C : 5 V (± 10 %). Courant maximum 400mA |
Résolution | ±0,03 Hz (5-6 MHz),0,0136Å / Mesure (aluminium) | |
Précision de mesure | ±0,5 % d'épaisseur + 1 compte | |
Période de mesure | 100 mS ~ 1 S/heure (peut être réglé) | |
Plage de mesure | 500 000 Å (aluminium) | |
Fréquence cristalline | 6MHz | |
Interface de Communication | Interface série RS-232/485 | |
Afficher les chiffres | Affichage LED à 8 chiffres | |
Pompe moléculaire | Vitesse de pompage de la pompe moléculaire | 80 L/S |
Vitesse nominale | 65 000 tr/min | |
Valeur vibratoire | ≦0,1um | |
Heure de début | ≦4,5min | |
Temps d'arrêt | <7min | |
Méthode de refroidissement | Air conditionné | |
Température de l'eau de refroidissement | ≦37℃ | |
Débit d'eau de refroidissement | 1L/min | |
Sens de pose | Verticale ±5° | |
Orifice d'aspiration | 150CF | |
Raccordement d'échappement | KF40 | |
Pompe avant | Taux de pompage | 1,1 L/S (VRD-4) |
Vide ultime | 5×10-2Pa | |
Source de courant | CA : 220 V/50 Hz | |
Pouvoir | 400W | |
Bruit | ≦56 dB | |
Orifice d'aspiration | KF40 | |
Raccordement d'échappement | KF25 | |
Soupape de décharge | Une soupape de décharge d'air pneumatique et à commande électronique est installée sur la chambre à vide | |
Le vide ultime de toute la machine | ≦5×10-4Pa | |
Taux de suralimentation de la chambre à vide | ≦2,5Pa/h | |
Système logiciel | 1 ensemble de logiciels de suivi et de gestion | |
Cible de test | 2 cibles en cuivre d'un diamètre de 2 pouces et d'une épaisseur de 3 mm | |
