| Quantité: | |
|---|---|
TN-VTC-DC
TN
Cette coucheuse par pulvérisation utilise la technologie de pulvérisation magnétron DC, permettant un dépôt de film efficace et uniforme.Il est capable de déposer des films sur divers substrats, notamment le verre, le silicium et le métal, avec une excellente adhérence et uniformité.
La conception à cible unique de cette coucheuse permet le dépôt de films monocouches, ainsi que le dépôt séquentiel de plusieurs couches pour des structures de films complexes.Grâce à sa puissance de pulvérisation et à son temps de dépôt réglables, il offre une flexibilité pour atteindre l'épaisseur et les propriétés de film souhaitées.
Équipée d'un système de vide fiable, cette coucheuse peut atteindre des niveaux de vide élevés, garantissant ainsi un environnement sans contamination pour le processus de revêtement.La chambre en acier inoxydable offre une excellente résistance à la corrosion et garantit des performances durables.
L'interface conviviale et le panneau de commande intuitif rendent l'opération simple et pratique.La coucheuse est équipée de fonctionnalités de sécurité avancées, notamment une protection contre les surintensités et une mise hors tension automatique, garantissant la sécurité de l'utilisateur et de l'équipement.
Que ce soit dans des laboratoires de recherche ou dans des environnements industriels, cette coucheuse par pulvérisation magnétron DC à cible unique avec chambre en acier inoxydable sous vide poussé est un choix idéal pour un dépôt de couche mince précis et fiable.Sa polyvalence et sa construction robuste le rendent adapté à un large éventail d'applications, notamment la science des matériaux, l'électronique, l'optique, etc.
Paramètres techniques de la coucheuse de pulvérisation magnétron à cible unique :
Instrument de revêtement par pulvérisation magnétron DC à cible unique | ||
Étape d'échantillonnage | Dimensions | φ185mm |
Plage de chauffage | Température ambiante ~ 500 ℃ | |
Vitesse réglable | 1-20 tr/min réglable | |
magnetic contrôle cible pistolet | Plan cible | Cible plan circulaire |
Vide de pulvérisation | 10 Pa ~ 0,2 Pa | |
Diamètre cible | 50 ~ 50,8 mm | |
Épaisseur cible | 2 ~ 5 mm | |
Tension d'isolement | >2000V | |
Spécifications du câble | SL-16 | |
Température de tête cible | ≦65℃ | |
réel nul Cavité corps | Traitement des murs intérieurs | Polissage électrolytique |
Taille de la cavité | φ300 mm × 300 mm | |
Matériau de la cavité | Acier inoxydable 304 | |
Fenêtre d'observation | Fenêtre à quartz, diamètre φ100mm | |
Méthode ouverte | Ouverture supérieure, support auxiliaire de cylindre | |
gaz corps contrôle système | Contrôle de flux | Débitmètre massique, plage 0 ~ 200 SCCM gaz argon |
Type de vanne de régulation | Électrovanne | |
État statique de la vanne de régulation | Normalement fermé | |
Mesurer la linéarité | ±1,5 % PE | |
Répétabilité des mesures | ±0,2 % PE | |
Mesurer le temps de réponse | ≤8 secondes (T95) | |
Plage de pression de service | 0,3MPa | |
Pression du corps de vanne | 3MPa | |
Température de fonctionnement | （5～45）℃ | |
Matériau du corps | Acier inoxydable 316L | |
Taux de fuite du corps de vanne | 1×10-8Pa.m3/s | |
Joints de tuyaux | Raccord à compression 1/4″ | |
Signal d'entrée et de sortie | 0 ~ 5 V | |
Source de courant | ±15V（±5%）（＋15V 50mA, －15V 200mA） | |
Dimensions hors tout mm | 130 (largeur) × 102 (hauteur) × 28 (épaisseur) | |
Interface de Communication | Protocole MODBUS RS485 | |
Alimentation CC | Pouvoir | 500W |
Tension de sortie | 0 ~ 600 V | |
Durée | 65 000 secondes | |
Heure de début | 1 ~ 10 seconde | |
Mesure de l'épaisseur du film | Exigences de puissance | C.C : 5 V (± 10 %). Courant maximum 400mA |
Résolution | ±0,03 Hz (5-6 MHz),0,0136Å / Mesure (aluminium) | |
Précision de mesure | ±0,5 % d'épaisseur + 1 compte | |
Période de mesure | 100 mS ~ 1 S/heure (peut être réglé) | |
Plage de mesure | 500 000 Å (aluminium) | |
Fréquence cristalline | 6 MHz | |
Interface de Communication | Interface série RS-232/485 | |
Afficher les chiffres | Affichage LED à 8 chiffres | |
Pompe moléculaire | Vitesse de pompage de la pompe moléculaire | 80 L/S |
Vitesse nominale | 65 000 tr/min | |
Valeur vibratoire | ≦0,1um | |
Heure de début | ≦4,5min | |
Temps d'arrêt | <7min | |
Méthode de refroidissement | Air conditionné | |
Température de l'eau de refroidissement | ≦37℃ | |
Débit d'eau de refroidissement | 1L/min | |
Sens de pose | Verticale ±5° | |
Orifice d'aspiration | 150CF | |
Raccordement d'échappement | KF40 | |
Pompe avant | Taux de pompage | 1,1 L/S (VRD-4) |
Vide ultime | 5×10-2Pa | |
Source de courant | CA : 220 V/50 Hz | |
Pouvoir | 400W | |
Bruit | ≦56 dB | |
Orifice d'aspiration | KF40 | |
Raccordement d'échappement | KF25 | |
Soupape de décharge | Une soupape de décharge d'air pneumatique et à commande électronique est installée sur la chambre à vide | |
Le vide ultime de toute la machine | ≦5×10-4Pa | |
Taux de suralimentation de la chambre à vide | ≦2,5Pa/h | |
Système logiciel | 1 ensemble de logiciels de suivi et de gestion | |
Cible de test | 2 cibles en cuivre d'un diamètre de 2 pouces et d'une épaisseur de 3 mm | |
Cette coucheuse par pulvérisation utilise la technologie de pulvérisation magnétron DC, permettant un dépôt de film efficace et uniforme.Il est capable de déposer des films sur divers substrats, notamment le verre, le silicium et le métal, avec une excellente adhérence et uniformité.
La conception à cible unique de cette coucheuse permet le dépôt de films monocouches, ainsi que le dépôt séquentiel de plusieurs couches pour des structures de films complexes.Grâce à sa puissance de pulvérisation et à son temps de dépôt réglables, il offre une flexibilité pour atteindre l'épaisseur et les propriétés de film souhaitées.
Équipée d'un système de vide fiable, cette coucheuse peut atteindre des niveaux de vide élevés, garantissant ainsi un environnement sans contamination pour le processus de revêtement.La chambre en acier inoxydable offre une excellente résistance à la corrosion et garantit des performances durables.
L'interface conviviale et le panneau de commande intuitif rendent l'opération simple et pratique.La coucheuse est équipée de fonctionnalités de sécurité avancées, notamment une protection contre les surintensités et une mise hors tension automatique, garantissant la sécurité de l'utilisateur et de l'équipement.
Que ce soit dans des laboratoires de recherche ou dans des environnements industriels, cette coucheuse par pulvérisation magnétron DC à cible unique avec chambre en acier inoxydable sous vide poussé est un choix idéal pour un dépôt de couche mince précis et fiable.Sa polyvalence et sa construction robuste le rendent adapté à un large éventail d'applications, notamment la science des matériaux, l'électronique, l'optique, etc.
Paramètres techniques de la coucheuse de pulvérisation magnétron à cible unique :
Instrument de revêtement par pulvérisation magnétron DC à cible unique | ||
Étape d'échantillonnage | Dimensions | φ185mm |
Plage de chauffage | Température ambiante ~ 500 ℃ | |
Vitesse réglable | 1-20 tr/min réglable | |
magnetic contrôle cible pistolet | Plan cible | Cible plan circulaire |
Vide de pulvérisation | 10 Pa ~ 0,2 Pa | |
Diamètre cible | 50 ~ 50,8 mm | |
Épaisseur cible | 2 ~ 5 mm | |
Tension d'isolement | >2000V | |
Spécifications du câble | SL-16 | |
Température de tête cible | ≦65℃ | |
réel nul Cavité corps | Traitement des murs intérieurs | Polissage électrolytique |
Taille de la cavité | φ300 mm × 300 mm | |
Matériau de la cavité | Acier inoxydable 304 | |
Fenêtre d'observation | Fenêtre à quartz, diamètre φ100mm | |
Méthode ouverte | Ouverture supérieure, support auxiliaire de cylindre | |
gaz corps contrôle système | Contrôle de flux | Débitmètre massique, plage 0 ~ 200 SCCM gaz argon |
Type de vanne de régulation | Électrovanne | |
État statique de la vanne de régulation | Normalement fermé | |
Mesurer la linéarité | ±1,5 % PE | |
Répétabilité des mesures | ±0,2 % PE | |
Mesurer le temps de réponse | ≤8 secondes (T95) | |
Plage de pression de service | 0,3MPa | |
Pression du corps de vanne | 3MPa | |
Température de fonctionnement | （5～45）℃ | |
Matériau du corps | Acier inoxydable 316L | |
Taux de fuite du corps de vanne | 1×10-8Pa.m3/s | |
Joints de tuyaux | Raccord à compression 1/4″ | |
Signal d'entrée et de sortie | 0 ~ 5 V | |
Source de courant | ±15V（±5%）（＋15V 50mA, －15V 200mA） | |
Dimensions hors tout mm | 130 (largeur) × 102 (hauteur) × 28 (épaisseur) | |
Interface de Communication | Protocole MODBUS RS485 | |
Alimentation CC | Pouvoir | 500W |
Tension de sortie | 0 ~ 600 V | |
Durée | 65 000 secondes | |
Heure de début | 1 ~ 10 seconde | |
Mesure de l'épaisseur du film | Exigences de puissance | C.C : 5 V (± 10 %). Courant maximum 400mA |
Résolution | ±0,03 Hz (5-6 MHz),0,0136Å / Mesure (aluminium) | |
Précision de mesure | ±0,5 % d'épaisseur + 1 compte | |
Période de mesure | 100 mS ~ 1 S/heure (peut être réglé) | |
Plage de mesure | 500 000 Å (aluminium) | |
Fréquence cristalline | 6 MHz | |
Interface de Communication | Interface série RS-232/485 | |
Afficher les chiffres | Affichage LED à 8 chiffres | |
Pompe moléculaire | Vitesse de pompage de la pompe moléculaire | 80 L/S |
Vitesse nominale | 65 000 tr/min | |
Valeur vibratoire | ≦0,1um | |
Heure de début | ≦4,5min | |
Temps d'arrêt | <7min | |
Méthode de refroidissement | Air conditionné | |
Température de l'eau de refroidissement | ≦37℃ | |
Débit d'eau de refroidissement | 1L/min | |
Sens de pose | Verticale ±5° | |
Orifice d'aspiration | 150CF | |
Raccordement d'échappement | KF40 | |
Pompe avant | Taux de pompage | 1,1 L/S (VRD-4) |
Vide ultime | 5×10-2Pa | |
Source de courant | CA : 220 V/50 Hz | |
Pouvoir | 400W | |
Bruit | ≦56 dB | |
Orifice d'aspiration | KF40 | |
Raccordement d'échappement | KF25 | |
Soupape de décharge | Une soupape de décharge d'air pneumatique et à commande électronique est installée sur la chambre à vide | |
Le vide ultime de toute la machine | ≦5×10-4Pa | |
Taux de suralimentation de la chambre à vide | ≦2,5Pa/h | |
Système logiciel | 1 ensemble de logiciels de suivi et de gestion | |
Cible de test | 2 cibles en cuivre d'un diamètre de 2 pouces et d'une épaisseur de 3 mm | |
