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Présentation de nos cibles de pulvérisation en oxyde d'indium et d'étain (ITO) de haute qualité, le choix idéal pour les cibles de pulvérisation, les sources d'évaporation et autres matériaux de dépôt.
Fabriquées avec précision, nos cibles de pulvérisation ITO sont constituées d'une composition d'In2O3SnO2 avec un rapport pondéral de 90:10.Ce mélange unique garantit des performances et une fiabilité exceptionnelles dans divers processus de dépôt de couches minces.
Avec nos cibles de pulvérisation ITO, vous pouvez obtenir une qualité de film supérieure, une excellente conductivité électrique et des propriétés optiques exceptionnelles.Ces cibles sont spécifiquement conçues pour répondre aux exigences exigeantes d’industries telles que l’électronique, les cellules solaires, les écrans tactiles, etc.
Notre engagement envers la qualité se reflète dans la pureté exceptionnelle de nos cibles de pulvérisation ITO, garantissant un minimum d'impuretés et une uniformité dans tout le matériau.Cela garantit des résultats cohérents et reproductibles, améliorant ainsi l’efficacité de vos processus de dépôt.
Fabriquées à l'aide de techniques avancées, nos cibles de pulvérisation ITO présentent une excellente stabilité thermique, permettant une utilisation prolongée sans compromettre les performances.Les dimensions précises et la finition de surface de nos cibles permettent une installation facile et une pulvérisation efficace, réduisant ainsi les temps d'arrêt et maximisant la productivité.
Choisissez nos cibles de pulvérisation ITO pour leurs performances exceptionnelles, leur fiabilité et leur qualité de film constante.Faites confiance à notre expertise et à notre expérience pour répondre à vos besoins spécifiques en matière de dépôt de couches minces.Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre gamme complète de cibles de pulvérisation, de sources d'évaporation et d'autres matériaux de dépôt.
Oxyde d'indium et d'étain, ITO (In2O3/SnO2 90/10 % en poids) Spécifications :
type de materiau | L'oxyde d'étain indium |
Symbole | In2O3/SnO2 90/10 % en poids |
Point de fusion (°C) | 1 800 |
Densité théorique (g/cc) | 7.14 |
Densité de puissance maximale (Watts/pouce carré) | 20* |
Type de caution | Indium, élastomère |
Présentation de nos cibles de pulvérisation en oxyde d'indium et d'étain (ITO) de haute qualité, le choix idéal pour les cibles de pulvérisation, les sources d'évaporation et autres matériaux de dépôt.
Fabriquées avec précision, nos cibles de pulvérisation ITO sont constituées d'une composition d'In2O3SnO2 avec un rapport pondéral de 90:10.Ce mélange unique garantit des performances et une fiabilité exceptionnelles dans divers processus de dépôt de couches minces.
Avec nos cibles de pulvérisation ITO, vous pouvez obtenir une qualité de film supérieure, une excellente conductivité électrique et des propriétés optiques exceptionnelles.Ces cibles sont spécifiquement conçues pour répondre aux exigences exigeantes d’industries telles que l’électronique, les cellules solaires, les écrans tactiles, etc.
Notre engagement envers la qualité se reflète dans la pureté exceptionnelle de nos cibles de pulvérisation ITO, garantissant un minimum d'impuretés et une uniformité dans tout le matériau.Cela garantit des résultats cohérents et reproductibles, améliorant ainsi l’efficacité de vos processus de dépôt.
Fabriquées à l'aide de techniques avancées, nos cibles de pulvérisation ITO présentent une excellente stabilité thermique, permettant une utilisation prolongée sans compromettre les performances.Les dimensions précises et la finition de surface de nos cibles permettent une installation facile et une pulvérisation efficace, réduisant ainsi les temps d'arrêt et maximisant la productivité.
Choisissez nos cibles de pulvérisation ITO pour leurs performances exceptionnelles, leur fiabilité et leur qualité de film constante.Faites confiance à notre expertise et à notre expérience pour répondre à vos besoins spécifiques en matière de dépôt de couches minces.Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre gamme complète de cibles de pulvérisation, de sources d'évaporation et d'autres matériaux de dépôt.
Oxyde d'indium et d'étain, ITO (In2O3/SnO2 90/10 % en poids) Spécifications :
type de materiau | L'oxyde d'étain indium |
Symbole | In2O3/SnO2 90/10 % en poids |
Point de fusion (°C) | 1 800 |
Densité théorique (g/cc) | 7.14 |
Densité de puissance maximale (Watts/pouce carré) | 20* |
Type de caution | Indium, élastomère |
