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Présentation de nos cibles de pulvérisation haut de gamme en silicium (Si (type P)), la solution ultime pour vos besoins de pulvérisation et de dépôt.
Fabriquées avec précision et expertise, nos cibles de pulvérisation cathodique sont conçues pour offrir des performances exceptionnelles dans diverses applications de dépôt de couches minces.Que vous ayez besoin de cibles de pulvérisation, de sources d'évaporation ou d'autres matériaux de dépôt, nous avons ce qu'il vous faut.
Nos cibles de pulvérisation en silicium (Si (type P)) sont fabriquées à partir de matériaux de la plus haute qualité, garantissant durabilité et fiabilité.Avec leur pureté et leur uniformité exceptionnelles, ces cibles garantissent des résultats de dépôt cohérents et précis.
Conçues pour les professionnels, nos cibles de pulvérisation offrent une excellente conductivité thermique et résistivité électrique, ce qui les rend idéales pour une large gamme d'applications, notamment la fabrication de semi-conducteurs, les revêtements optiques et la recherche et développement.
Avec nos cibles de pulvérisation en silicium (Si (type P)), vous pouvez obtenir une qualité de film supérieure, des taux de dépôt élevés et une excellente adhérence, ce qui se traduit par des performances et une productivité améliorées.
Faites confiance à notre expertise et à notre expérience pour vous fournir les meilleures cibles de pulvérisation, sources d’évaporation et autres matériaux de dépôt.Choisissez nos cibles de pulvérisation en silicium (Si (type P)) pour une qualité et une fiabilité inégalées dans vos processus de dépôt de couches minces.
Silicium (Si (type P)) Spécifications :
type de materiau | Silicium (type P) |
Symbole | Si (type P) |
Poids atomique | 28.0855 |
Numéro atomique | 14 |
Couleur/apparence | Gris foncé avec un bleuté Teinte, semi-métallique |
Conductivité thermique | 150 W/mK |
Point de fusion (°C) | 1 410 |
Résistivité globale | 0,005-0,020 OHM-CM |
Coefficient thermique Expansion | 2,6 x 10-6/K |
Densité théorique (g/cc) | 2.32 |
Dopant | Bore |
Rapport Z | 0.712 |
Pulvérisation | CC, RF |
Densité de puissance maximale (Watts/pouce carré) | 40* |
Type de caution | Indium, élastomère |
Présentation de nos cibles de pulvérisation haut de gamme en silicium (Si (type P)), la solution ultime pour vos besoins de pulvérisation et de dépôt.
Fabriquées avec précision et expertise, nos cibles de pulvérisation cathodique sont conçues pour offrir des performances exceptionnelles dans diverses applications de dépôt de couches minces.Que vous ayez besoin de cibles de pulvérisation, de sources d'évaporation ou d'autres matériaux de dépôt, nous avons ce qu'il vous faut.
Nos cibles de pulvérisation en silicium (Si (type P)) sont fabriquées à partir de matériaux de la plus haute qualité, garantissant durabilité et fiabilité.Avec leur pureté et leur uniformité exceptionnelles, ces cibles garantissent des résultats de dépôt cohérents et précis.
Conçues pour les professionnels, nos cibles de pulvérisation offrent une excellente conductivité thermique et résistivité électrique, ce qui les rend idéales pour une large gamme d'applications, notamment la fabrication de semi-conducteurs, les revêtements optiques et la recherche et développement.
Avec nos cibles de pulvérisation en silicium (Si (type P)), vous pouvez obtenir une qualité de film supérieure, des taux de dépôt élevés et une excellente adhérence, ce qui se traduit par des performances et une productivité améliorées.
Faites confiance à notre expertise et à notre expérience pour vous fournir les meilleures cibles de pulvérisation, sources d’évaporation et autres matériaux de dépôt.Choisissez nos cibles de pulvérisation en silicium (Si (type P)) pour une qualité et une fiabilité inégalées dans vos processus de dépôt de couches minces.
Silicium (Si (type P)) Spécifications :
type de materiau | Silicium (type P) |
Symbole | Si (type P) |
Poids atomique | 28.0855 |
Numéro atomique | 14 |
Couleur/apparence | Gris foncé avec un bleuté Teinte, semi-métallique |
Conductivité thermique | 150 W/mK |
Point de fusion (°C) | 1 410 |
Résistivité globale | 0,005-0,020 OHM-CM |
Coefficient thermique Expansion | 2,6 x 10-6/K |
Densité théorique (g/cc) | 2.32 |
Dopant | Bore |
Rapport Z | 0.712 |
Pulvérisation | CC, RF |
Densité de puissance maximale (Watts/pouce carré) | 40* |
Type de caution | Indium, élastomère |