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TN
Présentation de nos cibles de pulvérisation en silicium (Si (type N)), la solution ultime pour vos besoins de pulvérisation et de dépôt.
Nos cibles de pulvérisation cathodique sont spécialement conçues pour offrir des performances et une fiabilité exceptionnelles dans diverses applications de dépôt de couches minces.Fabriquées à partir de silicium de haute qualité (Si (type N)), ces cibles offrent une excellente uniformité, pureté et densité, garantissant un dépôt de film précis et cohérent.
Que vous travailliez dans l'industrie des semi-conducteurs, des revêtements optiques ou dans la recherche et le développement, nos cibles de pulvérisation en silicium (Si (type N)) sont le choix idéal.Avec leur composition supérieure et leur pureté exceptionnelle, ces cibles garantissent une qualité de film élevée et permettent le dépôt de films minces dotés d'excellentes propriétés électriques et optiques.
En plus des cibles de pulvérisation, nous proposons également une large gamme de sources d'évaporation et d'autres matériaux de dépôt pour répondre à vos besoins spécifiques.Notre sélection complète garantit que vous disposez de tout ce dont vous avez besoin pour réussir vos processus de dépôt de couches minces.
Choisissez nos cibles de pulvérisation en silicium (Si (type N)) et découvrez la différence de performances et de qualité.Grâce à notre engagement envers l'excellence et notre ton professionnel, nous garantissons que nos produits dépasseront vos attentes et fourniront des résultats exceptionnels dans vos applications de dépôt.
Silicium (Si (type N)) Spécifications :
type de materiau | Silicium (type N) |
Symbole | Si (type N) |
Poids atomique | 28.0855 |
Numéro atomique | 14 |
Couleur/apparence | Gris foncé avec un bleuté Teinte, semi-métallique |
Conductivité thermique | 150 W/mK |
Point de fusion (°C) | 1 410 |
Résistivité globale | <0,1 OHM-CM |
Coefficient thermique Expansion | 2,6 x 10-6/K |
Densité théorique (g/cc) | 2.32 |
Dopant | Phosphore, Arsenic ou Antimoine |
Rapport Z | 0.712 |
Pulvérisation | CC, RF |
Densité de puissance maximale (Watts/pouce carré) | 40* |
Type de caution | Indium, élastomère |
Présentation de nos cibles de pulvérisation en silicium (Si (type N)), la solution ultime pour vos besoins de pulvérisation et de dépôt.
Nos cibles de pulvérisation cathodique sont spécialement conçues pour offrir des performances et une fiabilité exceptionnelles dans diverses applications de dépôt de couches minces.Fabriquées à partir de silicium de haute qualité (Si (type N)), ces cibles offrent une excellente uniformité, pureté et densité, garantissant un dépôt de film précis et cohérent.
Que vous travailliez dans l'industrie des semi-conducteurs, des revêtements optiques ou dans la recherche et le développement, nos cibles de pulvérisation en silicium (Si (type N)) sont le choix idéal.Avec leur composition supérieure et leur pureté exceptionnelle, ces cibles garantissent une qualité de film élevée et permettent le dépôt de films minces dotés d'excellentes propriétés électriques et optiques.
En plus des cibles de pulvérisation, nous proposons également une large gamme de sources d'évaporation et d'autres matériaux de dépôt pour répondre à vos besoins spécifiques.Notre sélection complète garantit que vous disposez de tout ce dont vous avez besoin pour réussir vos processus de dépôt de couches minces.
Choisissez nos cibles de pulvérisation en silicium (Si (type N)) et découvrez la différence de performances et de qualité.Grâce à notre engagement envers l'excellence et notre ton professionnel, nous garantissons que nos produits dépasseront vos attentes et fourniront des résultats exceptionnels dans vos applications de dépôt.
Silicium (Si (type N)) Spécifications :
type de materiau | Silicium (type N) |
Symbole | Si (type N) |
Poids atomique | 28.0855 |
Numéro atomique | 14 |
Couleur/apparence | Gris foncé avec un bleuté Teinte, semi-métallique |
Conductivité thermique | 150 W/mK |
Point de fusion (°C) | 1 410 |
Résistivité globale | <0,1 OHM-CM |
Coefficient thermique Expansion | 2,6 x 10-6/K |
Densité théorique (g/cc) | 2.32 |
Dopant | Phosphore, Arsenic ou Antimoine |
Rapport Z | 0.712 |
Pulvérisation | CC, RF |
Densité de puissance maximale (Watts/pouce carré) | 40* |
Type de caution | Indium, élastomère |
