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TN-EBH500-SS
TN
La machine de revêtement par évaporation par faisceau d'électrons (faisceau électronique) sous vide poussé est un équipement sophistiqué et spécialisé conçu pour déposer des films minces sur une variété de substrats. Cette machine utilise un faisceau d'électrons pour évaporer les matériaux, créant ainsi un revêtement uniforme et de haute qualité sur la surface du substrat.
Grâce à sa technologie avancée et à ses mécanismes de contrôle précis, la machine de revêtement par évaporation par faisceau d'électrons sous vide poussé (faisceau électronique) offre une précision et une efficacité inégalées dans le processus de revêtement. Il est capable de déposer une large gamme de matériaux, notamment des métaux, des oxydes et des semi-conducteurs, sur des substrats de formes et de tailles variées.
Cette machine de pointe est idéale pour les applications dans des secteurs tels que l'électronique, l'optique et l'aérospatiale, où les revêtements en couches minces sont essentiels pour améliorer les performances et la durabilité des produits. Son environnement sous vide poussé garantit un processus de revêtement propre et sans contamination, ce qui se traduit par une adhérence et une qualité de film supérieures.
De plus, la machine de revêtement par évaporation par faisceau d'électrons (faisceau électronique) sous vide poussé est équipée de fonctionnalités avancées telles que des systèmes de surveillance et de contrôle en temps réel, permettant un ajustement précis des paramètres de dépôt pour obtenir l'épaisseur et les propriétés de revêtement souhaitées. Son interface conviviale le rend facile à utiliser et à entretenir, garantissant des performances constantes et fiables.
Dans l’ensemble, la machine de revêtement par évaporation par faisceau d’électrons (faisceau électronique) sous vide poussé est un outil précieux pour les chercheurs et les fabricants cherchant à obtenir des revêtements en couches minces de haute qualité avec une précision et une répétabilité exceptionnelles. Sa conception innovante et ses capacités avancées en font un choix idéal pour les applications exigeantes qui nécessitent des performances de revêtement supérieures.
Nom du produit | Revêtement par évaporation par faisceau d'électrons machine |
Modèle de produit | TN-EBH500-SS |
État de service | La température ambiante variait de 5 à 40 ℃ |
Source | Triphasé 380V |
Tension | 220 V 50 Hz |
Pouvoir | <20 kW |
Jauge d'eau | <2,5bar |
Surveillance de la couche plaquée | En utilisant le moniteur d'épaisseur de membrane SQM160, l'inhomogénéité du revêtement l'épaisseur est inférieure à 6 %. |
Lampe chauffante | Quatre lampes chauffantes halogènes ont été utilisées pour dégazage et une lampe au néon pour l'éclairage |
L'interface des électrodes | Avec une électrode d'évaporation métallique à 2 voies interface, sauvegarde |
Système de refroidissement par eau | Surveillance de la pression de l'eau |
Fenêtre d'observation | 100 mm de diamètre, avec filtre à rayons X verre |
Système de contrôle | Système d'écran tactile |
Dimensions de la chambre à vide | Dimensions de la chambre d'évaporation : Φ 500 * H500mm |
Pistolet à électrons | Nouveau pistolet électronique, un creuset 6 trous |
Exemple de platine vinyle | Taille de l'échantillon : <150 mm, la table d'échantillons peut tourner, la table d'échantillons surface et la surface du canon à électrons réglage de la distance de haut en bas, le la distance de réglage est 200 mm-250 mm, la table d'échantillons peut être chauffée, chauffée température <500 ℃. |
Degré de vide du système | A. Limiter le vide : cuisson pendant 12 à 24 heures, pompage continu, vide moins de 5x10-5Pa B. Taux d'extraction : un vide <5x10 po 40 minutes, à partir du atmosphère-4Pa C. Taux de fuite du système : après 12 heures de arrêt, mesurer le vide le degré de la chambre à vide est <10Pa |
L'unité de vide | Pompe moléculaire FB1200 + façade VRD-16 pompe d'étage + vanne d'extraction latérale + Vanne + Vanne de coupure + Vacuomètre composite + surveillance du revêtement interface de vacuomètre (attendre) |
Vidéo de l'enduction par évaporation par faisceau d'électrons :
La machine de revêtement par évaporation par faisceau d'électrons (faisceau électronique) sous vide poussé est un équipement sophistiqué et spécialisé conçu pour déposer des films minces sur une variété de substrats. Cette machine utilise un faisceau d'électrons pour évaporer les matériaux, créant ainsi un revêtement uniforme et de haute qualité sur la surface du substrat.
Grâce à sa technologie avancée et à ses mécanismes de contrôle précis, la machine de revêtement par évaporation par faisceau d'électrons sous vide poussé (faisceau électronique) offre une précision et une efficacité inégalées dans le processus de revêtement. Il est capable de déposer une large gamme de matériaux, notamment des métaux, des oxydes et des semi-conducteurs, sur des substrats de formes et de tailles variées.
Cette machine de pointe est idéale pour les applications dans des secteurs tels que l'électronique, l'optique et l'aérospatiale, où les revêtements en couches minces sont essentiels pour améliorer les performances et la durabilité des produits. Son environnement sous vide poussé garantit un processus de revêtement propre et sans contamination, ce qui se traduit par une adhérence et une qualité de film supérieures.
De plus, la machine de revêtement par évaporation par faisceau d'électrons (faisceau électronique) sous vide poussé est équipée de fonctionnalités avancées telles que des systèmes de surveillance et de contrôle en temps réel, permettant un ajustement précis des paramètres de dépôt pour obtenir l'épaisseur et les propriétés de revêtement souhaitées. Son interface conviviale le rend facile à utiliser et à entretenir, garantissant des performances constantes et fiables.
Dans l’ensemble, la machine de revêtement par évaporation par faisceau d’électrons (faisceau électronique) sous vide poussé est un outil précieux pour les chercheurs et les fabricants cherchant à obtenir des revêtements en couches minces de haute qualité avec une précision et une répétabilité exceptionnelles. Sa conception innovante et ses capacités avancées en font un choix idéal pour les applications exigeantes qui nécessitent des performances de revêtement supérieures.
Nom du produit | Revêtement par évaporation par faisceau d'électrons machine |
Modèle de produit | TN-EBH500-SS |
État de service | La température ambiante variait de 5 à 40 ℃ |
Source | Triphasé 380V |
Tension | 220 V 50 Hz |
Pouvoir | <20 kW |
Jauge d'eau | <2,5bar |
Surveillance de la couche plaquée | En utilisant le moniteur d'épaisseur de membrane SQM160, l'inhomogénéité du revêtement l'épaisseur est inférieure à 6 %. |
Lampe chauffante | Quatre lampes chauffantes halogènes ont été utilisées pour dégazage et une lampe au néon pour l'éclairage |
L'interface des électrodes | Avec une électrode d'évaporation métallique à 2 voies interface, sauvegarde |
Système de refroidissement par eau | Surveillance de la pression de l'eau |
Fenêtre d'observation | 100 mm de diamètre, avec filtre à rayons X verre |
Système de contrôle | Système d'écran tactile |
Dimensions de la chambre à vide | Dimensions de la chambre d'évaporation : Φ 500 * H500mm |
Pistolet à électrons | Nouveau pistolet électronique, un creuset 6 trous |
Exemple de platine vinyle | Taille de l'échantillon : <150 mm, la table d'échantillons peut tourner, la table d'échantillons surface et la surface du canon à électrons réglage de la distance de haut en bas, le la distance de réglage est 200 mm-250 mm, la table d'échantillons peut être chauffée, chauffée température <500 ℃. |
Degré de vide du système | A. Limiter le vide : cuisson pendant 12 à 24 heures, pompage continu, vide moins de 5x10-5Pa B. Taux d'extraction : un vide <5x10 po 40 minutes, à partir du atmosphère-4Pa C. Taux de fuite du système : après 12 heures de arrêt, mesurer le vide le degré de la chambre à vide est <10Pa |
L'unité de vide | Pompe moléculaire FB1200 + façade VRD-16 pompe d'étage + vanne d'extraction latérale + Vanne + Vanne de coupure + Vacuomètre composite + surveillance du revêtement interface de vacuomètre (attendre) |
Vidéo de l'enduction par évaporation par faisceau d'électrons :