| Quantité: | |
|---|---|
TN-PECVD-50R-1200-Q
TN
sur le processus. Ce système est conçu pour un dépôt de film uniforme et de haute qualité dans les applications de recherche et industrielles.
Le système de four tubulaire PECVD comprend un four tubulaire à haute température capable d'atteindre des températures allant jusqu'à 1 200 °C, permettant un contrôle précis du processus de dépôt. Le système comprend également un système d'administration de gaz pour introduire des gaz précurseurs dans la chambre, ainsi qu'une alimentation radiofréquence (RF) pour générer du plasma.
Grâce à sa conception avancée et à ses capacités de contrôle précises, le système de four tubulaire PECVD est idéal pour déposer une large gamme de films minces, notamment le dioxyde de silicium, le nitrure de silicium et le silicium amorphe. Le système est couramment utilisé dans la fabrication de transistors à couches minces, de cellules solaires et d'autres appareils électroniques.
Dans l’ensemble, le système de four tubulaire PECVD offre aux chercheurs et aux fabricants une solution fiable et efficace pour le dépôt de couches minces, avec la capacité de produire des films de haute qualité avec une excellente uniformité et reproductibilité. Ses fonctionnalités et capacités avancées en font un outil précieux pour un large éventail d’applications dans les domaines de la science des matériaux, de la nanotechnologie et de la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs.
Nom du produit | Four tubulaire PECVD | |
Nom du produit | TN-PECVD-50R-1200-Q | |
Alimentation RF | Puissance de sortie | 150W |
Précision de sortie | ±1% | |
Fréquence RF | 13,56 MHz | |
Stabilité RF | ±0,005 % | |
Méthode de refroidissement | Refroidissement par air | |
Four tubulaire à zone de chauffage unique 1200℃ | Tension d'alimentation | AC220V, 50Hz |
Puissance maximale | 2KW | |
Zone de chauffage | Zone de chauffage unique 200 mm | |
Température de travail | Maximum 1 200 ℃, la température de fonctionnement continu doit être ≤ 1 100 ℃ | |
Précision de la température | ± 1 ℃ | |
Méthode de contrôle de la température | Courbe de processus AI-PID en 30 étapes, peut stocker multiple Trois zones de température indépendantes contrôle, avec protection contre la surchauffe et la défaillance du thermocouple | |
Matériau du tube du four | Quartz de haute pureté | |
Taille du tube du four | Dia. 50x800mm | |
Méthode de scellement | Bride inox sous vide, KF16 bride | |
Vitesse réglable | 0-20 tr/min | |
Angle d'inclinaison du four | 0-15° | |
Pompe à vide | Pompe mécanique à palettes | |
Vide ultime | 1,0E-1Pa | |
Méthode d'alimentation | Entonnoir à vide et alimentation à vis | |
sur le processus. Ce système est conçu pour un dépôt de film uniforme et de haute qualité dans les applications de recherche et industrielles.
Le système de four tubulaire PECVD comprend un four tubulaire à haute température capable d'atteindre des températures allant jusqu'à 1 200 °C, permettant un contrôle précis du processus de dépôt. Le système comprend également un système d'administration de gaz pour introduire des gaz précurseurs dans la chambre, ainsi qu'une alimentation radiofréquence (RF) pour générer du plasma.
Grâce à sa conception avancée et à ses capacités de contrôle précises, le système de four tubulaire PECVD est idéal pour déposer une large gamme de films minces, notamment le dioxyde de silicium, le nitrure de silicium et le silicium amorphe. Le système est couramment utilisé dans la fabrication de transistors à couches minces, de cellules solaires et d'autres appareils électroniques.
Dans l’ensemble, le système de four tubulaire PECVD offre aux chercheurs et aux fabricants une solution fiable et efficace pour le dépôt de couches minces, avec la capacité de produire des films de haute qualité avec une excellente uniformité et reproductibilité. Ses fonctionnalités et capacités avancées en font un outil précieux pour un large éventail d’applications dans les domaines de la science des matériaux, de la nanotechnologie et de la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs.
Nom du produit | Four tubulaire PECVD | |
Nom du produit | TN-PECVD-50R-1200-Q | |
Alimentation RF | Puissance de sortie | 150W |
Précision de sortie | ±1% | |
Fréquence RF | 13,56 MHz | |
Stabilité RF | ±0,005 % | |
Méthode de refroidissement | Refroidissement par air | |
Four tubulaire à zone de chauffage unique 1200℃ | Tension d'alimentation | AC220V, 50Hz |
Puissance maximale | 2KW | |
Zone de chauffage | Zone de chauffage unique 200 mm | |
Température de travail | Maximum 1 200 ℃, la température de fonctionnement continu doit être ≤ 1 100 ℃ | |
Précision de la température | ± 1 ℃ | |
Méthode de contrôle de la température | Courbe de processus AI-PID en 30 étapes, peut stocker multiple Trois zones de température indépendantes contrôle, avec protection contre la surchauffe et la défaillance du thermocouple | |
Matériau du tube du four | Quartz de haute pureté | |
Taille du tube du four | Dia. 50x800mm | |
Méthode de scellement | Bride inox sous vide, KF16 bride | |
Vitesse réglable | 0-20 tr/min | |
Angle d'inclinaison du four | 0-15° | |
Pompe à vide | Pompe mécanique à palettes | |
Vide ultime | 1,0E-1Pa | |
Méthode d'alimentation | Entonnoir à vide et alimentation à vis | |
