| Quantité: | |
|---|---|
TN
Chauffage d’échantillons pour les enduiseurs par évaporation thermique
paramètre technique:
Mode chauffage | Radiation thermique |
Chauffage | Ta fil, Ta pièce, W fil, SiC |
Température de chauffage | 1300（K） |
Couple thermique | Type K |
Taille du substrat | 1-4 pouces |
Utilisation UHV | Oui |
Mode chauffage | Chauffage par rayonnement thermique et bombardement électronique |
Filament | W (diamètre 0,05 mm) |
Température de chauffage | >2300（K） |
Une tête froide à basse température peut être installée (azote liquide/hélium liquide) | Oui |
Refroidissement minimum | 10（K） |
L'échantillon peut-il être biaisé | Oui |
Taille de l'échantillon | 1 pouce |
Utilisation UHV | Oui |
Chauffage d’échantillons pour les enduiseurs par évaporation thermique
paramètre technique:
Mode chauffage | Radiation thermique |
Chauffage | Ta fil, Ta pièce, W fil, SiC |
Température de chauffage | 1300（K） |
Couple thermique | Type K |
Taille du substrat | 1-4 pouces |
Utilisation UHV | Oui |
Mode chauffage | Chauffage par rayonnement thermique et bombardement électronique |
Filament | W (diamètre 0,05 mm) |
Température de chauffage | >2300（K） |
Une tête froide à basse température peut être installée (azote liquide/hélium liquide) | Oui |
Refroidissement minimum | 10（K） |
L'échantillon peut-il être biaisé | Oui |
Taille de l'échantillon | 1 pouce |
Utilisation UHV | Oui |
